PDTB123YT,215 - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス PDTB123YT,215

PDTB123YT,215

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	300mV @ 2.5mA, 50mA
トランジスタ型式:	PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-236AB (SOT23)
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	10k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	2.2k
電力 - 最大:	250mW
パッケージング:	Original-Reel®
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:	1727-1703-6 568-11243-6 568-11243-6-ND
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	PDTB123YT,215
周波数 - トランジション:	-
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
説明:	TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	70 @ 50mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	500mA
Email:	[email protected]