PDTD123ES,126
PDTD123ES,126
部品型番:
PDTD123ES,126
メーカー:
NXP Semiconductors / Freescale
説明:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16369 Pieces
データシート:
PDTD123ES,126.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):300mV @ 2.5mA, 50mA
トランジスタ型式:NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:TO-92-3
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):2.2k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):2.2k
電力 - 最大:500mW
パッケージング:Tape & Box (TB)
パッケージ/ケース:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
他の名前:934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:PDTD123ES,126
周波数 - トランジション:-
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
説明:TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):40 @ 50mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):500mA
Email:[email protected]

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