PEMT1,115 - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ PEMT1,115

PEMT1,115

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	40V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	200mV @ 5mA, 50mA
トランジスタ型式:	2 PNP (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-666
シリーズ:	-
電力 - 最大:	300mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-563, SOT-666
他の名前:	1727-2669-2 568-13183-2 568-13183-2-ND 934056707115 PEMT1 T/R PEMT1 T/R-ND PEMT1,115-ND
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	PEMT1,115
周波数 - トランジション:	100MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-666
説明:	TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	120 @ 1mA, 6V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA
Email:	[email protected]