購入 PHKD3NQ10T,518とBYCHPS
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PHKD3NQ10T,518
- 部品型番:
- PHKD3NQ10T,518
- メーカー:
- Nexperia
- 説明:
- MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15237 Pieces
- データシート:
- PHKD3NQ10T,518.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 PHKD3NQ10T,518、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください PHKD3NQ10T,518をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
| シリーズ: | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 90 mOhm @ 1.5A, 10V |
| 電力 - 最大: | 2W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 他の名前: | 934055906518 |
| 運転温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 2 (1 Year) |
| メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
| 製造元の部品番号: | PHKD3NQ10T,518 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 633pF @ 20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 21nC @ 10V |
| FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| 拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 100V |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 3A |
| Email: | [email protected] |
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