購入 PHU11NQ10T,127とBYCHPS
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PHU11NQ10T,127
- 部品型番:
- PHU11NQ10T,127
- 説明:
- MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 17536 Pieces
- データシート:
- PHU11NQ10T,127.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 PHU11NQ10T,127、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください PHU11NQ10T,127をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | I-Pak |
| シリーズ: | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 180 mOhm @ 9A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 57.7W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 他の名前: | 934056349127 PHU11NQ10T PHU11NQ10T-ND |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | PHU11NQ10T,127 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 360pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 14.7nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 100V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole I-Pak |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 100V |
| 説明: | MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 10.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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