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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > PMGD8000LN,115
PMGD8000LN,115
部品型番:
PMGD8000LN,115
メーカー:
NXP Semiconductors / Freescale
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17732 Pieces
データシート:
PMGD8000LN,115.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:1.5V @ 100µA
サプライヤデバイスパッケージ:6-TSSOP
シリーズ:TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:8 Ohm @ 10mA, 4V
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前:568-2370-2
934057621115
PMGD8000LN T/R
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:PMGD8000LN,115
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:18.5pF @ 5V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:0.35nC @ 4.5V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 125mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP
ソース電圧（VDSS）にドレイン:30V
説明:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:125mA
Email:[email protected]

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