購入 PSMN1R2-30YLDXとBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.2V @ 1mA |
---|---|
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | LFPAK56, Power-SO8 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.24 mOhm @ 25A, 10V |
電力消費(最大): | 194W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SC-100, SOT-669 |
他の名前: | 1727-1860-2 568-11556-2 568-11556-2-ND 934068235115 PSMN0R9-30YLD,115 PSMN1R2-30YLDX-ND |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | PSMN1R2-30YLDX |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 4616pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 68nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 30V 100A (Tc) 194W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |