購入 PSMN4R6-100XS,127とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220F |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4.6 mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大): | 63.8W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
他の名前: | 568-10158 568-10158-5 568-10158-ND 934067065127 PSMN4R6-100XS,127-ND PSMN4R6100XS127 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | PSMN4R6-100XS,127 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 9900pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 153nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 70.4A (Tc) 63.8W (Tc) Through Hole TO-220F |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 70.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |