R6025FNZ1C9
R6025FNZ1C9
部品型番:
R6025FNZ1C9
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19612 Pieces
データシート:
R6025FNZ1C9.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 1mA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-247
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):180 mOhm @ 12.5A, 10V
電力消費(最大):150W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:17 Weeks
製造元の部品番号:R6025FNZ1C9
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3500pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:85nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 600V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET N-CH 600V 25A TO247
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):25A (Tc)
Email:[email protected]

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