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RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL
部品型番:
RGT30NS65DGTL
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15887 Pieces
データシート:
RGT30NS65DGTL.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:650V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:2.1V @ 15V, 15A
試験条件:400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃:18ns/64ns
エネルギーの切り替え:-
サプライヤデバイスパッケージ:LPDS (TO-263S)
シリーズ:-
逆回復時間（trrの）:55ns
電力 - 最大:133W
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:RGT30NS65DGTLDKR
運転温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:15 Weeks
製造元の部品番号:RGT30NS65DGTL
入力タイプ:Standard
IGBTタイプ:Trench Field Stop
ゲートチャージ:32nC
拡張された説明:IGBT Trench Field Stop 650V 30A 133W Surface Mount LPDS (TO-263S)
説明:IGBT 650V 30A 133W TO-263S
電流 - コレクタパルス（ICM）:45A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:30A
Email:[email protected]

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