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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > RJM0603JSC-00#13
RJM0603JSC-00#13
部品型番:
RJM0603JSC-00#13
メーカー:
Renesas Electronics America
説明:
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12375 Pieces
データシート:
RJM0603JSC-00#13.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:2.5V @ 1mA
サプライヤデバイスパッケージ:20-HSOP
シリーズ:Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:20 mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大:54W
パッケージング:-
パッケージ/ケース:20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
運転温度:175°C
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:RJM0603JSC-00#13
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:2600pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:43nC @ 10V
FETタイプ:3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET特長:Logic Level Gate, 4.5V Drive
拡張された説明:Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
ソース電圧（VDSS）にドレイン:60V
説明:MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:20A
Email:[email protected]

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