RN1105MFV,L3F
RN1105MFV,L3F
部品型番:
RN1105MFV,L3F
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18118 Pieces
データシート:
RN1105MFV,L3F.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):300mV @ 500µA, 5mA
トランジスタ型式:NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:VESM
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):2.2k
電力 - 最大:150mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-723
他の名前:RN1105MFV(TL3,T)
RN1105MFV(TL3T)TR
RN1105MFV(TL3T)TR-ND
RN1105MFV,L3F(B
RN1105MFV,L3F(T
RN1105MFV,L3FTR
RN1105MFVTL3T
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:RN1105MFV,L3F
周波数 - トランジション:-
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
説明:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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