RN1610(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス RN1610(TE85L,F)

RN1610(TE85L,F)

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	SM6
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	-
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	4.7k
電力 - 最大:	300mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SC-74, SOT-457
他の名前:	RN1610(TE85LF)TR
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	RN1610(TE85L,F)
周波数 - トランジション:	250MHz
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
説明:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	120 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA
Email:	[email protected]

絵	部品型番	メーカー	説明	ビュー
	RN1611(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6	オンラインお問い合わせ
	EMH59T2R	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	オンラインお問い合わせ