RN2307(TE85L,F)
RN2307(TE85L,F)
部品型番:
RN2307(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14987 Pieces
データシート:
RN2307(TE85L,F).pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式:PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:USM
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):10k
電力 - 最大:100mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SC-70, SOT-323
他の名前:RN2307(TE85LF)
RN2307(TE85LF)-ND
RN2307(TE85LF)TR
RN2307TE85LF
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:RN2307(TE85L,F)
周波数 - トランジション:200MHz
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
説明:TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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