RQ3E075ATTB
部品型番:
RQ3E075ATTB
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17253 Pieces
データシート:
RQ3E075ATTB.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-HSMT (3.2x3)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):23 Ohm @ 7.5A, 10V
電力消費(最大):15W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:RQ3E075ATTBTR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:RQ3E075ATTB
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:930pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:21nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 18A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):18A (Tc)
Email:[email protected]

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