購入 RQ3L050GNTBとBYCHPS
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RQ3L050GNTB
- 部品型番:
- RQ3L050GNTB
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- NCH 60V 12A MIDDLE POWER MOSFET
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 19994 Pieces
- データシート:
- RQ3L050GNTB.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 RQ3L050GNTB、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください RQ3L050GNTBをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-HSMT (3.2x3) |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 61 Ohm @ 5A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 14.8W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-PowerVDFN |
| 他の名前: | RQ3L050GNTBTR |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 製造元の部品番号: | RQ3L050GNTB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 300pF @ 30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 5.3nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 60V 12A (Tc) 14.8W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 60V |
| 説明: | NCH 60V 12A MIDDLE POWER MOSFET |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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