RT1A060APTR
RT1A060APTR
部品型番:
RT1A060APTR
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17495 Pieces
データシート:
RT1A060APTR.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):1V @ 1mA
Vgs(最大):-8V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSST
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):19 mOhm @ 6A, 4.5V
電力消費(最大):600mW (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SMD, Flat Lead
他の名前:RT1A060APTRTR
RT1A060APTRTR-ND
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:RT1A060APTR
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:7800pF @ 6V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:80nC @ 4.5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 12V 6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:12V
説明:MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6A (Ta)
Email:[email protected]

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