購入 RT1E040RPTRとBYCHPS
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RT1E040RPTR
- 部品型番:
- RT1E040RPTR
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 16743 Pieces
- データシート:
- RT1E040RPTR.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 RT1E040RPTR、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください RT1E040RPTRをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-TSST |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 45 mOhm @ 4A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 550mW (Ta) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
| 他の名前: | RT1E040RPTRTR RT1E040RPTRTR-ND |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 製造元の部品番号: | RT1E040RPTR |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1000pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 20nC @ 10V |
| FETタイプ: | P-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | P-Channel 30V 4A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 4V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 説明: | MOSFET P-CH 30V 4A TSST8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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