RW1E015RPT2R
RW1E015RPT2R
部品型番:
RW1E015RPT2R
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17187 Pieces
データシート:
RW1E015RPT2R.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:6-WEMT
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):160 mOhm @ 1.5A, 10V
電力消費(最大):400mW (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
他の名前:RW1E015RPT2RTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:RW1E015RPT2R
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:230pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:6.5nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):1.5A (Ta)
Email:[email protected]

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