RYC002N05T316
RYC002N05T316
部品型番:
RYC002N05T316
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17988 Pieces
データシート:
RYC002N05T316.pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 RYC002N05T316、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください RYC002N05T316をメールでお送りします。
購入 RYC002N05T316とBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS(TH)(最大):800mV @ 1mA
Vgs(最大):±8V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-23
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
電力消費(最大):350mW (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:RYC002N05T316TR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:RYC002N05T316
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:26pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:-
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 50V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:50V
説明:0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):200mA (Tc)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考