SCT20N120
SCT20N120
部品型番:
SCT20N120
メーカー:
ST
説明:
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18492 Pieces
データシート:
1.SCT20N120.pdf2.SCT20N120.pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 SCT20N120、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SCT20N120をメールでお送りします。
購入 SCT20N120とBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 1mA
Vgs(最大):+25V, -10V
技術:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ:HiP247™
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):290 mOhm @ 10A, 20V
電力消費(最大):175W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
他の名前:497-15170
運転温度:-55°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:SCT20N120
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:650pF @ 400V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:45nC @ 20V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):20V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V (1.2kV)
説明:MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):20A (Tc)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考