購入 SCT30N120とBYCHPS
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SCT30N120
- 部品型番:
- SCT30N120
- メーカー:
- ST
- 説明:
- MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 16045 Pieces
簡潔な
BYCHIPSは、 SCT30N120、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SCT30N120をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.6V @ 1mA (Typ) |
|---|---|
| Vgs（最大）: | +25V, -10V |
| 技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | HiP247™ |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| 電力消費（最大）: | 270W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| 他の名前: | 497-14960 |
| 運転温度: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | SCT30N120 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1700pF @ 400V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 105nC @ 20V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 1200V (1.2kV) |
| 説明: | MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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