購入 SI1025X-T1-GE3とBYCHPS
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SI1025X-T1-GE3
- 部品型番:
- SI1025X-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 13260 Pieces
- データシート:
- SI1025X-T1-GE3.pdf
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BYCHIPSは、 SI1025X-T1-GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SI1025X-T1-GE3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | SC-89-6 |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力 - 最大: | 250mW |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
| 他の名前: | SI1025X-T1-GE3TR SI1025XT1GE3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SI1025X-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 23pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 1.7nC @ 15V |
| FETタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| 拡張された説明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 60V |
| 説明: | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 190mA |
| Email: | [email protected] |
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