購入 SI1058X-T1-E3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 1.55V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SC-89-6 |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
電力消費(最大): | 236mW (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
他の名前: | SI1058X-T1-E3TR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI1058X-T1-E3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 380pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 5.9nC @ 5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | - |
Email: | [email protected] |