SI3430DV-T1-E3
SI3430DV-T1-E3
部品型番:
SI3430DV-T1-E3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17159 Pieces
データシート:
SI3430DV-T1-E3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2V @ 250µA (Min)
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:6-TSOP
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):170 mOhm @ 2.4A, 10V
電力消費(最大):1.14W (Ta)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
他の名前:SI3430DV-T1-E3DKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
製造元の部品番号:SI3430DV-T1-E3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:-
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:6.6nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):1.8A (Ta)
Email:[email protected]

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