購入 SI4322DY-T1-E3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大): | 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | SI4322DY-T1-E3TR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI4322DY-T1-E3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1640pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 38nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 30V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) Surface Mount 8-SO |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 18A (Tc) |
Email: | [email protected] |