購入 SI4618DY-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 1mA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 17 mOhm @ 8A, 10V |
電力 - 最大: | 1.98W, 4.16W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
製造元の部品番号: | SI4618DY-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1535pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 44nC @ 10V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長: | Standard |
拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SO |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 8A, 15.2A |
Email: | [email protected] |