SI4916DY-T1-GE3
部品型番:
SI4916DY-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15135 Pieces
データシート:
SI4916DY-T1-GE3.pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 SI4916DY-T1-GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SI4916DY-T1-GE3をメールでお送りします。
購入 SI4916DY-T1-GE3とBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-SO
シリーズ:LITTLE FOOT®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):18 mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大:3.3W, 3.5W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
製造元の部品番号:SI4916DY-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:-
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:10nC @ 4.5V
FETタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):10A, 10.5A
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考