SI5463EDC-T1-GE3
SI5463EDC-T1-GE3
部品型番:
SI5463EDC-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12517 Pieces
データシート:
SI5463EDC-T1-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):450mV @ 250µA (Min)
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:1206-8 ChipFET™
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):62 mOhm @ 4A, 4.5V
電力消費(最大):1.25W (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SMD, Flat Lead
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:SI5463EDC-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:-
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:15nC @ 4.5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 20V 3.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
説明:MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):3.8A (Ta)
Email:[email protected]

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