購入 SI5511DC-T1-GE3とBYCHPS
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SI5511DC-T1-GE3
- 部品型番:
- SI5511DC-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 17324 Pieces
- データシート:
- SI5511DC-T1-GE3.pdf
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BYCHIPSは、 SI5511DC-T1-GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SI5511DC-T1-GE3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | 1206-8 ChipFET™ |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| 電力 - 最大: | 3.1W, 2.6W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
| 他の名前: | SI5511DC-T1-GE3TR |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | SI5511DC-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 435pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 7.1nC @ 5V |
| FETタイプ: | N and P-Channel |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| 拡張された説明: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 説明: | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 4A, 3.6A |
| Email: | [email protected] |
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