購入 SI5935CDC-T1-GE3とBYCHPS
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SI5935CDC-T1-GE3
- 部品型番:
- SI5935CDC-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15186 Pieces
- データシート:
- SI5935CDC-T1-GE3.pdf
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BYCHIPSは、 SI5935CDC-T1-GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SI5935CDC-T1-GE3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | 1206-8 ChipFET™ |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| 電力 - 最大: | 3.1W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
| 他の名前: | SI5935CDC-T1-GE3TR SI5935CDCT1GE3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SI5935CDC-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 455pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 11nC @ 5V |
| FETタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特長: | Standard |
| 拡張された説明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 20V |
| 説明: | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 4A |
| Email: | [email protected] |
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