購入 SI7119DN-T1-GE3とBYCHPS
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SI7119DN-T1-GE3
- 部品型番:
- SI7119DN-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 13568 Pieces
- データシート:
- SI7119DN-T1-GE3.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SI7119DN-T1-GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SI7119DN-T1-GE3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 1.05 Ohm @ 1A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
| 他の名前: | SI7119DN-T1-GE3TR SI7119DNT1GE3 |
| 運転温度: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SI7119DN-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 666pF @ 50V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 25nC @ 10V |
| FETタイプ: | P-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | P-Channel 200V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 200V |
| 説明: | MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 3.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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