SI7172DP-T1-GE3
SI7172DP-T1-GE3
部品型番:
SI7172DP-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19919 Pieces
データシート:
SI7172DP-T1-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):70 mOhm @ 5.9A, 10V
電力消費(最大):5.4W (Ta), 96W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8
他の名前:SI7172DP-T1-GE3TR
SI7172DPT1GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
製造元の部品番号:SI7172DP-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2250pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:77nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 200V 25A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:200V
説明:MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):25A (Tc)
Email:[email protected]

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