購入 SI7540DP-T1-GE3とBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 1.5V @ 250µA |
---|---|
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 Dual |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V |
電力 - 最大: | 1.4W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 Dual |
他の名前: | SI7540DP-T1-GE3TR SI7540DPT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI7540DP-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N and P-Channel |
FET特長: | Logic Level Gate |
拡張された説明: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 7.6A, 5.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 12V |
説明: | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 7.6A, 5.7A |
Email: | [email protected] |