購入 SI7703EDN-T1-GE3とBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 1V @ 800µA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
電力消費(最大): | 1.3W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
他の名前: | SI7703EDN-T1-GE3TR SI7703EDNT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI7703EDN-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | Schottky Diode (Isolated) |
拡張された説明: | P-Channel 20V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 4.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |