SI7923DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ SI7923DN-T1-GE3

SI7923DN-T1-GE3

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:	PowerPAK® 1212-8 Dual
シリーズ:	TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	47 mOhm @ 6.4A, 10V
電力 - 最大:	1.3W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	PowerPAK® 1212-8 Dual
他の名前:	SI7923DN-T1-GE3TR SI7923DNT1GE3
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	15 Weeks
製造元の部品番号:	SI7923DN-T1-GE3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	-
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	21nC @ 10V
FETタイプ:	2 P-Channel (Dual)
FET特長:	Logic Level Gate
拡張された説明:	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	4.3A
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
SI7925DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8	オンラインお問い合わせ
SI7922DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8	オンラインお問い合わせ
APTC60AM35SCTG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4	オンラインお問い合わせ
2N7002BKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666	オンラインお問い合わせ
SI7923DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8	オンラインお問い合わせ
SI7925DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8	オンラインお問い合わせ
NTJD1155LT1G	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363	オンラインお問い合わせ
AO4611	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC	オンラインお問い合わせ
SSM6N7002BFU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6	オンラインお問い合わせ
SP8J5TB	Rohm Semiconductor	MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC	オンラインお問い合わせ
STS4DPF20L	STMicroelectronics	MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC	オンラインお問い合わせ
SI7922DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8	オンラインお問い合わせ
DMN62D0UDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363	オンラインお問い合わせ