購入 SI7980DP-T1-GE3とBYCHPS
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SI7980DP-T1-GE3
- 部品型番:
- SI7980DP-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 19096 Pieces
- データシート:
- SI7980DP-T1-GE3.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SI7980DP-T1-GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SI7980DP-T1-GE3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 22 mOhm @ 5A, 10V |
| 電力 - 最大: | 19.8W, 21.9W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 他の名前: | SI7980DP-T1-GE3TR SI7980DPT1GE3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SI7980DP-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1010pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 27nC @ 10V |
| FETタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特長: | Standard |
| 拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 20V |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 8A |
| Email: | [email protected] |
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