購入 SI8429DB-T1-E1とBYCHPS
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SI8429DB-T1-E1
- 部品型番:
- SI8429DB-T1-E1
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12495 Pieces
- データシート:
- SI8429DB-T1-E1.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SI8429DB-T1-E1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SI8429DB-T1-E1をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 800mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±5V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 4-Microfoot |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 35 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 電力消費（最大）: | 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 4-XFBGA, CSPBGA |
| 他の名前: | SI8429DB-T1-E1TR SI8429DBT1E1 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 14 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SI8429DB-T1-E1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1640pF @ 4V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 26nC @ 5V |
| FETタイプ: | P-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 1.2V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 8V |
| 説明: | MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 11.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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