購入 SI8481DB-T1-E1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 900mV @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
シリーズ: | TrenchFET® Gen III |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 21 mOhm @ 3A, 4.5V |
電力消費(最大): | 2.8W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | 4-UFBGA |
他の名前: | SI8481DB-T1-E1DKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
製造元の部品番号: | SI8481DB-T1-E1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2500pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 20V 9.7A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 9.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |