購入 SI8497DB-T2-E1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 1.1V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-microfoot |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 53 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
電力消費(最大): | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 6-UFBGA |
他の名前: | SI8497DB-T2-E1TR SI8497DBT2E1 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
製造元の部品番号: | SI8497DB-T2-E1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1320pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 49nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 30V 13A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-microfoot |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 2V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 13A (Tc) |
Email: | [email protected] |