SI8900EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1V @ 1.1mA
サプライヤデバイスパッケージ:	10-Micro Foot™ CSP (2x5)
シリーズ:	TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	-
電力 - 最大:	1W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	10-UFBGA, CSPBGA
他の名前:	SI8900EDB-T2-E1TR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	SI8900EDB-T2-E1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	-
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	-
FETタイプ:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特長:	Logic Level Gate
拡張された説明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	20V
説明:	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	5.4A
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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