SIA920DJ-T1-GE3
SIA920DJ-T1-GE3
部品型番:
SIA920DJ-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17514 Pieces
データシート:
SIA920DJ-T1-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):700mV @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® SC-70-6 Dual
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):27 mOhm @ 5.3A, 4.5V
電力 - 最大:7.8W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:PowerPAK® SC-70-6 Dual
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
製造元の部品番号:SIA920DJ-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:470pF @ 4V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:7.5nC @ 4.5V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
ソース電圧(VDSS)にドレイン:8V
説明:MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):4.5A
Email:[email protected]

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