SIE854DF-T1-GE3
SIE854DF-T1-GE3
部品型番:
SIE854DF-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16553 Pieces
データシート:
SIE854DF-T1-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4.4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:10-PolarPAK® (L)
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):14.2 mOhm @ 13.2A, 10V
電力消費(最大):5.2W (Ta), 125W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:10-PolarPAK® (L)
他の名前:SIE854DF-T1-GE3TR
SIE854DFT1GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:SIE854DF-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3100pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:75nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):60A (Tc)
Email:[email protected]

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