購入 SIE868DF-T1-GE3とBYCHPS
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SIE868DF-T1-GE3
- 部品型番:
- SIE868DF-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 17770 Pieces
- データシート:
- SIE868DF-T1-GE3.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SIE868DF-T1-GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SIE868DF-T1-GE3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 10-PolarPAK® (L) |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 2.3 mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 10-PolarPAK® (L) |
| 他の名前: | SIE868DF-T1-GE3TR SIE868DFT1GE3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SIE868DF-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 6100pF @ 20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 145nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 40V |
| 説明: | MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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