SIHD6N62E-GE3
SIHD6N62E-GE3
部品型番:
SIHD6N62E-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14734 Pieces
データシート:
SIHD6N62E-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D-PAK (TO-252AA)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):900 mOhm @ 3A, 10V
電力消費(最大):78W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:19 Weeks
製造元の部品番号:SIHD6N62E-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:578pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:34nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 620V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:620V
説明:MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6A (Tc)
Email:[email protected]

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