SIHJ8N60E-T1-GE3
SIHJ8N60E-T1-GE3
部品型番:
SIHJ8N60E-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19284 Pieces
データシート:
SIHJ8N60E-T1-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):520 mOhm @ 4A, 10V
電力消費(最大):89W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8
他の名前:SIHJ8N60E-T1-GE3DKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:21 Weeks
製造元の部品番号:SIHJ8N60E-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:754pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:44nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 600V 8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):8A (Tc)
Email:[email protected]

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