購入 SIHP14N50D-E3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220AB |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 400 mOhm @ 7A, 10V |
電力消費(最大): | 208W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
他の名前: | SIHP14N50DE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SIHP14N50D-E3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1144pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 58nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 500V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 500V |
説明: | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 14A (Tc) |
Email: | [email protected] |