購入 SIZ914DT-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.4V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | 8-PowerPair® |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 6.4 mOhm @ 19A, 10V |
電力 - 最大: | 22.7W, 100W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-WDFN Exposed Pad |
他の名前: | SIZ914DT-T1-GE3TR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
製造元の部品番号: | SIZ914DT-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1208pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 26nC @ 10V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長: | Logic Level Gate |
拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 16A, 40A |
Email: | [email protected] |