購入 SJD112T4GとBYCHPS
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SJD112T4G
- 部品型番:
- SJD112T4G
- 説明:
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12500 Pieces
- データシート:
- SJD112T4G.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SJD112T4G、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SJD112T4Gをメールでお送りします。
規格
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | - |
|---|---|
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | - |
| トランジスタ型式: | - |
| サプライヤデバイスパッケージ: | - |
| シリーズ: | - |
| 電力 - 最大: | - |
| パッケージング: | - |
| パッケージ/ケース: | - |
| 運転温度: | - |
| 装着タイプ: | - |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 9 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SJD112T4G |
| 周波数 - トランジション: | - |
| 拡張された説明: | Bipolar (BJT) Transistor |
| 説明: | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | - |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | - |
| Email: | [email protected] |
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