SMA6080 - Sanken - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ SMA6080

SMA6080

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	1.5V @ 2mA, 1A
トランジスタ型式:	3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)
サプライヤデバイスパッケージ:	12-SIP
シリーズ:	-
電力 - 最大:	4W
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	12-SIP, Exposed Tab
他の名前:	SMA6080 DK
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	SMA6080
周波数 - トランジション:	50MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 2A 50MHz 4W Through Hole 12-SIP
説明:	TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	2000 @ 1A, 4V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100µA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	2A
Email:	[email protected]